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ZTX1047ASTOB

ZTX1047ASTOB

Nur als Referenz

Teilenummer ZTX1047ASTOB
PNEDA Teilenummer ZTX1047ASTOB
Beschreibung TRANS NPN 10V 4A E-LINE
Hersteller Diodes Incorporated
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ZTX1047ASTOB Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZTX1047ASTOB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
ZTX1047ASTOB, ZTX1047ASTOB Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 110,09 KB)
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ZTX1047ASTOB Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic190mV @ 20mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce300 @ 1A, 2V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang150MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallE-Line-3, Formed Leads
LieferantengerätepaketE-Line (TO-92 compatible)

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 30mA, 10V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92

2N6317

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 1.75A, 7A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 2.5A, 4V

Leistung - max

90W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-213AA, TO-66-2

Lieferantengerätepaket

-

BC817K25WH6433XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

170MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

2N5873

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

KSD288O

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 5V

Leistung - max

25W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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