ZDT6702TC
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZDT6702TC |
| PNEDA Teilenummer | ZDT6702TC |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP DARL 60V 1.75A SM8 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.496 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 12 - Jan 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ZDT6702TC Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZDT6702TC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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ZDT6702TC Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN, PNP Darlington (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1.75A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.28V @ 2mA, 1.75A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V |
| Leistung - max | 2.75W |
| Frequenz - Übergang | 140MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-223-8 |
| Lieferantengerätepaket | SM8 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
