XP151A12A2MR-G
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| Teilenummer | XP151A12A2MR-G |
| PNEDA Teilenummer | XP151A12A2MR-G |
| Beschreibung | POWER MOSFET, 20V, 1A, N-TYPE, S |
| Hersteller | Torex Semiconductor Ltd |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.578 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 20 - Jan 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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XP151A12A2MR-G Ressourcen
| Marke | Torex Semiconductor Ltd |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | XP151A12A2MR-G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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XP151A12A2MR-G Technische Daten
| Hersteller | Torex Semiconductor Ltd |
| Serie | * |
| FET-Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 606mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.49nC @ 5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 66pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-75A Paket / Fall SC-75A |
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