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XP151A12A2MR

XP151A12A2MR

Nur als Referenz

Teilenummer XP151A12A2MR
PNEDA Teilenummer XP151A12A2MR
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 1A SOT23
Hersteller Torex Semiconductor Ltd
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XP151A12A2MR Ressourcen

Marke Torex Semiconductor Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerXP151A12A2MR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
XP151A12A2MR, XP151A12A2MR Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 278,7 KB)
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XP151A12A2MR Technische Daten

HerstellerTorex Semiconductor Ltd
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)500mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

24V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 180A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

390nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11220pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

380W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Paket / Fall

TO-247-3

PMN50EPEX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

793pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

560mW (Ta), 6.25mW (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

BUK9832-55A/CUX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1594pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-73

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

IRFR24N10D

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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11mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

990pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

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