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XP0553100L

XP0553100L

Nur als Referenz

Teilenummer XP0553100L
PNEDA Teilenummer XP0553100L
Beschreibung TRANS 2NPN 10V 0.05A SMINI6S
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 2.790
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XP0553100L Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerXP0553100L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

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XP0553100L Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 4mA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce75 @ 5mA, 4V
Leistung - max150mW
Frequenz - Übergang2.5GHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSMINI6-G1

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

UMT6

PIMZ2,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

100MHz, 190MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

MD7003A

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 100µA, 10V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

ULN2004AINS

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO

BC848CDXV6T5

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

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SOT-563

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