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X28HC256JIZ-12T1

X28HC256JIZ-12T1

Nur als Referenz

Teilenummer X28HC256JIZ-12T1
PNEDA Teilenummer X28HC256JIZ-12T1
Beschreibung IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
Stückpreis
1 ---------- $409,2083
50 ---------- $390,0267
100 ---------- $370,8450
200 ---------- $351,6634
400 ---------- $335,6787
500 ---------- $319,6940
Auf Lager 6.482
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

X28HC256JIZ-12T1 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerX28HC256JIZ-12T1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
X28HC256JIZ-12T1, X28HC256JIZ-12T1 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 867,23 KB)
PDFX28HC256JI-90R5699 Datenblatt Cover
X28HC256JI-90R5699 Datenblatt Seite 2 X28HC256JI-90R5699 Datenblatt Seite 3 X28HC256JI-90R5699 Datenblatt Seite 4 X28HC256JI-90R5699 Datenblatt Seite 5 X28HC256JI-90R5699 Datenblatt Seite 6 X28HC256JI-90R5699 Datenblatt Seite 7 X28HC256JI-90R5699 Datenblatt Seite 8 X28HC256JI-90R5699 Datenblatt Seite 9 X28HC256JI-90R5699 Datenblatt Seite 10 X28HC256JI-90R5699 Datenblatt Seite 11

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X28HC256JIZ-12T1 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit120ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall32-LCC (J-Lead)
Lieferantengerätepaket32-PLCC (11.43x13.97)

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-

Speichertyp

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1ms

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (2K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

33MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100µs, 10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

F-RAM™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

40MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-SOIC

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