Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

WPB4002

WPB4002

Nur als Referenz

Teilenummer WPB4002
PNEDA Teilenummer WPB4002
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.362
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 12 - Feb 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

WPB4002 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerWPB4002
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
WPB4002, WPB4002 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 251,55 KB)
PDFWPB4002-1E Datenblatt Cover
WPB4002-1E Datenblatt Seite 2 WPB4002-1E Datenblatt Seite 3 WPB4002-1E Datenblatt Seite 4 WPB4002-1E Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • WPB4002 Datasheet
  • where to find WPB4002
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor WPB4002
  • WPB4002 PDF Datasheet
  • WPB4002 Stock

  • WPB4002 Pinout
  • Datasheet WPB4002
  • WPB4002 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • WPB4002 Price
  • WPB4002 Distributor

WPB4002 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.23A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs84nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2200pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 220W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3PB
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

TSM60N750CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

554pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251 (IPAK)

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

DMTH6010LK3Q-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14.8A (Ta), 70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2090pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

31W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTMFS4833NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Ta), 156A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 11.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

910mW (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

SQR40020ER_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.33mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8000F @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

107W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252)

Paket / Fall

TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

RSS090P03TB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 5V

Vgs (Max)

20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOP

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

SMBJ33CA

SMBJ33CA

Semtech

1-LINE 33V 11.3A TVS DO-214AA

CRCW020110K0JNED

CRCW020110K0JNED

Vishay Dale

RES SMD 10K OHM 5% 1/20W 0201

MAX3162EAI

MAX3162EAI

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 28SSOP

HLMP-P205-F0031

HLMP-P205-F0031

Broadcom

LED RED CLEAR Z-BEND SMD

XC6SLX100-3CSG484I

XC6SLX100-3CSG484I

Xilinx

IC FPGA 338 I/O 484CSBGA

LTC2802IDE#TRPBF

LTC2802IDE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 12DFN

UC3844BD1013TR

UC3844BD1013TR

STMicroelectronics

IC REG CTRLR BST FLYBK ISO 8SOIC

PIC18F46K20-I/PT

PIC18F46K20-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44TQFP

AT91FR40162S-CJ

AT91FR40162S-CJ

Microchip Technology

IC MCU 16/32BIT 2MB FLASH 121BGA

LTC2950IDDB-1#TRMPBF

LTC2950IDDB-1#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC PUSH BUTTON ON/OFF CTRLR 8DFN

SMCJ48CA

SMCJ48CA

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 48V 77.4V SMC

MAX3218EAP+

MAX3218EAP+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP