W987D2HBJX7E
Nur als Referenz
| Teilenummer | W987D2HBJX7E |
| PNEDA Teilenummer | W987D2HBJX7E |
| Beschreibung | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.820 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 26 - Mär 31 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
W987D2HBJX7E Ressourcen
| Marke | Winbond Electronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | W987D2HBJX7E |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- W987D2HBJX7E Datasheet
- where to find W987D2HBJX7E
- Winbond Electronics
- Winbond Electronics W987D2HBJX7E
- W987D2HBJX7E PDF Datasheet
- W987D2HBJX7E Stock
- W987D2HBJX7E Pinout
- Datasheet W987D2HBJX7E
- W987D2HBJX7E Supplier
- Winbond Electronics Distributor
- W987D2HBJX7E Price
- W987D2HBJX7E Distributor
W987D2HBJX7E Technische Daten
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Speichergröße | 128Mb (4M x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 133MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 5.4ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 90-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 90-VFBGA (8x13) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 128Kb (16K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 900ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 14ns Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 128Kb (16K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 64-LQFP Lieferantengerätepaket 64-TQFP (14x14) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 2.2V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Lieferantengerätepaket 32-SOIC |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 128Kb (8K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 84-PLCC (29.21x29.21) |
