W987D2HBJX6E TR
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| Teilenummer | W987D2HBJX6E TR |
| PNEDA Teilenummer | W987D2HBJX6E-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.930 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 5 - Nov 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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W987D2HBJX6E TR Ressourcen
| Marke | Winbond Electronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | W987D2HBJX6E TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
W987D2HBJX6E TR, W987D2HBJX6E TR Datenblatt
(Total Pages: 68, Größe: 1.470,3 KB)
  
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W987D2HBJX6E TR Technische Daten
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Speichergröße | 128Mb (4M x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 166MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 5.4ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 90-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 90-VFBGA (8x13) |
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