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W97AH6KBVX2I TR

W97AH6KBVX2I TR

Nur als Referenz

Teilenummer W97AH6KBVX2I TR
PNEDA Teilenummer W97AH6KBVX2I-TR
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 2.880
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

W97AH6KBVX2I TR Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW97AH6KBVX2I TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W97AH6KBVX2I TR, W97AH6KBVX2I TR Datenblatt (Total Pages: 127, Größe: 3.549,78 KB)
PDFW97AH6KBQX2I Datenblatt Cover
W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 2 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 3 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 4 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 5 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 6 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 7 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 8 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 9 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 10 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 11

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W97AH6KBVX2I TR Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße1Gb (64M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall134-VFBGA
Lieferantengerätepaket134-VFBGA (10x11.5)

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Technologie

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1866MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

144Kb (8K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

67MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

9ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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