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W97AH2KBQX2I

W97AH2KBQX2I

Nur als Referenz

Teilenummer W97AH2KBQX2I
PNEDA Teilenummer W97AH2KBQX2I
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 3.544
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

W97AH2KBQX2I Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW97AH2KBQX2I
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W97AH2KBQX2I, W97AH2KBQX2I Datenblatt (Total Pages: 127, Größe: 3.549,78 KB)
PDFW97AH6KBQX2I Datenblatt Cover
W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 2 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 3 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 4 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 5 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 6 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 7 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 8 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 9 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 10 W97AH6KBQX2I Datenblatt Seite 11

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W97AH2KBQX2I Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße1Gb (32M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall168-WFBGA
Lieferantengerätepaket168-WFBGA (12x12)

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C, Single Wire

Taktfrequenz

125kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

512Mb (16M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TC)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Gb (32M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

168-VFBGA

Lieferantengerätepaket

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