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W957D6HBCX7I TR

W957D6HBCX7I TR

Nur als Referenz

Teilenummer W957D6HBCX7I TR
PNEDA Teilenummer W957D6HBCX7I-TR
Beschreibung IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 4.032
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 28 - Apr 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

W957D6HBCX7I TR Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW957D6HBCX7I TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W957D6HBCX7I TR, W957D6HBCX7I TR Datenblatt (Total Pages: 54, Größe: 1.837,28 KB)
PDFW957D6HBCX7I TR Datenblatt Cover
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W957D6HBCX7I TR Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatPSRAM
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße128Mb (8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-VFBGA
Lieferantengerätepaket54-VFBGA (6x8)

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (1K x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

MT40A512M8RH-075E IT:B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.33GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-TFBGA

Lieferantengerätepaket

78-FBGA (9x10.5)

DS24B33+

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (256 x 16)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2µs

Spannung - Versorgung

2.8V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

AT29BV010A-12TC

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ms

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-TSOP

IS62WV1288DBLL-45QLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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