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W632GU8NB-11

W632GU8NB-11

Nur als Referenz

Teilenummer W632GU8NB-11
PNEDA Teilenummer W632GU8NB-11
Beschreibung IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 8.136
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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W632GU8NB-11 Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW632GU8NB-11
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W632GU8NB-11, W632GU8NB-11 Datenblatt (Total Pages: 162, Größe: 4.061,82 KB)
PDFW632GU8NB09I Datenblatt Cover
W632GU8NB09I Datenblatt Seite 2 W632GU8NB09I Datenblatt Seite 3 W632GU8NB09I Datenblatt Seite 4 W632GU8NB09I Datenblatt Seite 5 W632GU8NB09I Datenblatt Seite 6 W632GU8NB09I Datenblatt Seite 7 W632GU8NB09I Datenblatt Seite 8 W632GU8NB09I Datenblatt Seite 9 W632GU8NB09I Datenblatt Seite 10 W632GU8NB09I Datenblatt Seite 11

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W632GU8NB-11 Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3L
Speichergröße2Gb (256M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall78-VFBGA
Lieferantengerätepaket78-VFBGA (8x10.5)

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R1LV1616RBG-7SI#B0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-FBGA (7.5x8.5)

IS61LPS25636A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

JR28F064M29EWTB TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

CYDM064B16-40BVXIT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, MoBL

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

40ns

Zugriffszeit

40ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-VFBGA

Lieferantengerätepaket

100-VFBGA (6x6)

S29GL256P10FFI022

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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