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W632GG8KB12I

W632GG8KB12I

Nur als Referenz

Teilenummer W632GG8KB12I
PNEDA Teilenummer W632GG8KB12I
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 7.218
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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W632GG8KB12I Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW632GG8KB12I
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W632GG8KB12I, W632GG8KB12I Datenblatt (Total Pages: 159, Größe: 5.237,38 KB)
PDFW632GG8KB15I TR Datenblatt Cover
W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 2 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 3 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 4 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 5 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 6 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 7 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 8 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 9 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 10 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 11

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W632GG8KB12I Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße2Gb (256M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall78-TFBGA
Lieferantengerätepaket78-WBGA (10.5x8)

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-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3ns

Spannung - Versorgung

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

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Paket / Fall

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