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W632GG8KB-11

W632GG8KB-11

Nur als Referenz

Teilenummer W632GG8KB-11
PNEDA Teilenummer W632GG8KB-11
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 3.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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W632GG8KB-11 Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW632GG8KB-11
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W632GG8KB-11, W632GG8KB-11 Datenblatt (Total Pages: 159, Größe: 5.237,38 KB)
PDFW632GG8KB15I TR Datenblatt Cover
W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 2 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 3 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 4 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 5 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 6 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 7 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 8 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 9 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 10 W632GG8KB15I TR Datenblatt Seite 11

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W632GG8KB-11 Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße2Gb (256M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall78-TFBGA
Lieferantengerätepaket78-WBGA (10.5x8)

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Microchip Technology

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

SGRAM - GDDR5

Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.5GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

450ns

Spannung - Versorgung

1.6V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

PSRAM

Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)

Speichergröße

64Mb (8M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

40ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V, 1.8V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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