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W632GG6KB12I TR

W632GG6KB12I TR

Nur als Referenz

Teilenummer W632GG6KB12I TR
PNEDA Teilenummer W632GG6KB12I-TR
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 6.120
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

W632GG6KB12I TR Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW632GG6KB12I TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W632GG6KB12I TR, W632GG6KB12I TR Datenblatt (Total Pages: 159, Größe: 5.812,62 KB)
PDFW632GG6KB-18 Datenblatt Cover
W632GG6KB-18 Datenblatt Seite 2 W632GG6KB-18 Datenblatt Seite 3 W632GG6KB-18 Datenblatt Seite 4 W632GG6KB-18 Datenblatt Seite 5 W632GG6KB-18 Datenblatt Seite 6 W632GG6KB-18 Datenblatt Seite 7 W632GG6KB-18 Datenblatt Seite 8 W632GG6KB-18 Datenblatt Seite 9 W632GG6KB-18 Datenblatt Seite 10 W632GG6KB-18 Datenblatt Seite 11

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W632GG6KB12I TR Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße2Gb (128M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-TFBGA
Lieferantengerätepaket96-WBGA (9x13)

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-

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-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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*

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-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

W632GG8KB-15

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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