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W29GL128CH9B TR

W29GL128CH9B TR

Nur als Referenz

Teilenummer W29GL128CH9B TR
PNEDA Teilenummer W29GL128CH9B-TR
Beschreibung IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 6.228
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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W29GL128CH9B TR Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW29GL128CH9B TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W29GL128CH9B TR, W29GL128CH9B TR Datenblatt (Total Pages: 67, Größe: 1.796,67 KB)
PDFW29GL128CL9C TR Datenblatt Cover
W29GL128CL9C TR Datenblatt Seite 2 W29GL128CL9C TR Datenblatt Seite 3 W29GL128CL9C TR Datenblatt Seite 4 W29GL128CL9C TR Datenblatt Seite 5 W29GL128CL9C TR Datenblatt Seite 6 W29GL128CL9C TR Datenblatt Seite 7 W29GL128CL9C TR Datenblatt Seite 8 W29GL128CL9C TR Datenblatt Seite 9 W29GL128CL9C TR Datenblatt Seite 10 W29GL128CL9C TR Datenblatt Seite 11

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W29GL128CH9B TR Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße128Mb (16M x 8, 8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite90ns
Zugriffszeit90ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall64-LBGA
Lieferantengerätepaket64-LFBGA (11x13)

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

119-BGA

Lieferantengerätepaket

119-PBGA (14x22)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

16Gb (2G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.2GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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78-FBGA (9.5x13)

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (8K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

84-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

84-PLCC (29.21x29.21)

ECF440AACCN-P4-Y3

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT47H512M4EB-25E:C

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

2Gb (512M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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Lieferantengerätepaket

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