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W25Q512JVBIM TR

W25Q512JVBIM TR

Nur als Referenz

Teilenummer W25Q512JVBIM TR
PNEDA Teilenummer W25Q512JVBIM-TR
Beschreibung SPIFLASH, 512M-BIT, 4KB UNIFORM
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 4.068
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

W25Q512JVBIM TR Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW25Q512JVBIM TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W25Q512JVBIM TR, W25Q512JVBIM TR Datenblatt (Total Pages: 92, Größe: 1.765,1 KB)
PDFW25Q512JVBIM TR Datenblatt Cover
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W25Q512JVBIM TR Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße512Mb (64M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI - Quad I/O
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall24-TBGA
Lieferantengerätepaket24-TFBGA (6x8)

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Spannung - Versorgung

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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MT28F008B5VG-8 BET

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

80ns

Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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709269L9PF8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

256Kb (16K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

9ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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