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W25Q32BVSFJG TR

W25Q32BVSFJG TR

Nur als Referenz

Teilenummer W25Q32BVSFJG TR
PNEDA Teilenummer W25Q32BVSFJG-TR
Beschreibung IC FLASH MEMORY 32MB
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 5.940
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

W25Q32BVSFJG TR Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW25Q32BVSFJG TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W25Q32BVSFJG TR, W25Q32BVSFJG TR Datenblatt (Total Pages: 78, Größe: 1.092,81 KB)
PDFW25Q32BVZPJP Datenblatt Cover
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W25Q32BVSFJG TR Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße32Mb (4M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI - Quad I/O
Taktfrequenz104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite50µs, 3ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VFBGA

Lieferantengerätepaket

8-dBGA (3.73x2.21)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

34-PowerCap Module

CY7C1381D-133AXCT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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