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VVZ12-14IO1

VVZ12-14IO1

Nur als Referenz

Teilenummer VVZ12-14IO1
PNEDA Teilenummer VVZ12-14IO1
Beschreibung RECT BRIDGE 3PH 20A 1400V KAMM
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.948
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VVZ12-14IO1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVVZ12-14IO1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
VVZ12-14IO1, VVZ12-14IO1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 45,71 KB)
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VVZ12-14IO1 Datenblatt Seite 2

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VVZ12-14IO1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
StrukturBridge, 3-Phase - SCRs/Diodes
Anzahl der SCRs, Dioden3 SCRs, 3 Diodes
Spannung - Aus Zustand1.4kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)20A
Current - On State (It (RMS)) (max.)-
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)1V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)65mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)110A, 115A
Current - Hold (Ih) (Max)100mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallKAMM

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Hersteller

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Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

880A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1750A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

17500A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

2.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

700A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1331A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

-

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

18200 @ 50MHz

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

27A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

60A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

400A, 420A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

2.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

1040A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

2200A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

21500A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

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TD160N18SOFHPSA1

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Hersteller

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Serie

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Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

160A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

275A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

145mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

5200A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

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