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VVZ12-12IO1

VVZ12-12IO1

Nur als Referenz

Teilenummer VVZ12-12IO1
PNEDA Teilenummer VVZ12-12IO1
Beschreibung RECT BRIDGE 3PH 20A 1200V KAMM
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.070
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VVZ12-12IO1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVVZ12-12IO1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
VVZ12-12IO1, VVZ12-12IO1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 45,71 KB)
PDFVVZ12-14IO1 Datenblatt Cover
VVZ12-14IO1 Datenblatt Seite 2

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VVZ12-12IO1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
StrukturBridge, 3-Phase - SCRs/Diodes
Anzahl der SCRs, Dioden3 SCRs, 3 Diodes
Spannung - Aus Zustand1.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)20A
Current - On State (It (RMS)) (max.)-
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)1V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)65mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)110A, 115A
Current - Hold (Ih) (Max)100mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallKAMM

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Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1000A @ 60Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

45A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

100A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

850A, 890A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

TD210N14KOFHPSA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

261A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

410A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

6600A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

TDB6HK135N16LOFHOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

-

Anzahl der SCRs, Dioden

-

Spannung - Aus Zustand

-

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

-

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

700A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1331A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

-

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

18200 @ 50MHz

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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