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VUO60-12NO3

VUO60-12NO3

Nur als Referenz

Teilenummer VUO60-12NO3
PNEDA Teilenummer VUO60-12NO3
Beschreibung BRIDGE RECT 3P 1.2KV 72A FO-F-B
Hersteller IXYS
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VUO60-12NO3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVUO60-12NO3
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
VUO60-12NO3, VUO60-12NO3 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 52,64 KB)
PDFVUO60-18NO3 Datenblatt Cover
VUO60-18NO3 Datenblatt Seite 2

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VUO60-12NO3 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
DiodentypThree Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)1.2kV
Current - Average Rectified (Io)72A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.9V @ 150A
Strom - Umkehrleckage @ Vr300µA @ 1200V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallFO-F-B
LieferantengerätepaketFO-F-B

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, RS-4L

Lieferantengerätepaket

RS-4L

GBU8JL-7014E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3.9A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 8A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

DF160R12W2H3FB11BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

-

Technologie

-

Spannung - Peak Reverse (Max)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MSD130-18

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Three Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1.8kV

Current - Average Rectified (Io)

130A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 300A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 1800V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M3

Lieferantengerätepaket

-

GBU1003HD2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

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