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VUO55-18NO7

VUO55-18NO7

Nur als Referenz

Teilenummer VUO55-18NO7
PNEDA Teilenummer VUO55-18NO7
Beschreibung BRIDGE RECT 3P 1.8KV 58A PWS-B
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.390
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VUO55-18NO7 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVUO55-18NO7
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
VUO55-18NO7, VUO55-18NO7 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 145,73 KB)
PDFVUO55-18NO7 Datenblatt Cover
VUO55-18NO7 Datenblatt Seite 2 VUO55-18NO7 Datenblatt Seite 3 VUO55-18NO7 Datenblatt Seite 4 VUO55-18NO7 Datenblatt Seite 5

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VUO55-18NO7 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
DiodentypThree Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)1.8kV
Current - Average Rectified (Io)58A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.03V @ 20A
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 1800V
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallPWS-B
LieferantengerätepaketPWS-B

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Technologie

-

Spannung - Peak Reverse (Max)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

KBPC3502T

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 17.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

QC Terminal

Paket / Fall

4-Square, KBPC-T

Lieferantengerätepaket

KBPC

DBF250G-LK

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 700mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SSIP

Lieferantengerätepaket

-

KBP203G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBP

Lieferantengerätepaket

KBP

GBU4K-5400M3/51

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

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