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VUO55-12NO7

VUO55-12NO7

Nur als Referenz

Teilenummer VUO55-12NO7
PNEDA Teilenummer VUO55-12NO7
Beschreibung BRIDGE RECT 3P 1.2KV 58A PWS-B
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $460,6458
50 ---------- $439,0530
100 ---------- $417,4602
200 ---------- $395,8675
400 ---------- $377,8735
500 ---------- $359,8795
Auf Lager 5.368
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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VUO55-12NO7 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVUO55-12NO7
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
VUO55-12NO7, VUO55-12NO7 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 145,73 KB)
PDFVUO55-12NO7 Datenblatt Cover
VUO55-12NO7 Datenblatt Seite 2 VUO55-12NO7 Datenblatt Seite 3 VUO55-12NO7 Datenblatt Seite 4 VUO55-12NO7 Datenblatt Seite 5

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VUO55-12NO7 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
DiodentypThree Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)1.2kV
Current - Average Rectified (Io)58A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.03V @ 20A
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 1200V
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallPWS-B
LieferantengerätepaketPWS-B

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Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodentyp

Single Phase (Braking)

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1.4kV

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

GBLA06L-6985M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBL

Lieferantengerätepaket

GBL

GSIB620N-M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GSIB-5S

Lieferantengerätepaket

GSIB-5S

DBLS101GHC1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

DBLS

GBU6G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

400V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

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