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VSSB410S-E3/5BT

VSSB410S-E3/5BT

Nur als Referenz

Teilenummer VSSB410S-E3/5BT
PNEDA Teilenummer VSSB410S-E3-5BT
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.454
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VSSB410S-E3/5BT Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVSSB410S-E3/5BT
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
VSSB410S-E3/5BT, VSSB410S-E3/5BT Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 89,21 KB)
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VSSB410S-E3/5BT Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieTMBS®
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)1.9A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If770mV @ 4A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1.5µA @ 70V
Kapazität @ Vr, F.230pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AA, SMB
LieferantengerätepaketDO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

25A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 75A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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Powerex Inc.

Serie

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1400V

Current - Average Rectified (Io)

350A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 800A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AB, DO-9, Stud

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-45°C ~ 150°C

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-41

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

RB168VYM100FHTR

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

6.7ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300nA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TUMD2M

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

1N4006GA0

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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