VSSAF5N50-M3/6B
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| Teilenummer | VSSAF5N50-M3/6B |
| PNEDA Teilenummer | VSSAF5N50-M3-6B |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221AC |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.920 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Sep 23 - Sep 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VSSAF5N50-M3/6B Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VSSAF5N50-M3/6B |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
VSSAF5N50-M3/6B, VSSAF5N50-M3/6B Datenblatt
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VSSAF5N50-M3/6B Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | TMBS®, SlimSMA™ |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 410mV @ 2.5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1.4mA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | 850pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | DO-221AC (SlimSMA) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 500V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 500V Kapazität @ Vr, F. 34pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 200mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 10ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-80 Variant Lieferantengerätepaket SOD-80 QuadroMELF Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.8µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 6pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-220AA Lieferantengerätepaket DO-220AA (SMP) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 25V Kapazität @ Vr, F. 7pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-79, SOD-523F Lieferantengerätepaket SOD-523F Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
