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VSKT170-08

VSKT170-08

Nur als Referenz

Teilenummer VSKT170-08
PNEDA Teilenummer VSKT170-08
Beschreibung SCR DBL HISCR 800V 170A MAGNAPAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 4.086
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VSKT170-08 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVSKT170-08
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module

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VSKT170-08 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
StrukturSeries Connection - All SCRs
Anzahl der SCRs, Dioden2 SCRs
Spannung - Aus Zustand800V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)170A
Current - On State (It (RMS)) (max.)377A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)200mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)5100A, 5350A
Current - Hold (Ih) (Max)500mA
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall3-MAGN-A-PAK™

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

95A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

210A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2000A, 2094A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

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Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

540A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

845A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

18000A, 17000A

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

5.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

4990A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

5340A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

-

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

105000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

100mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 120°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

VSKT250-16

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

250A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

555A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

8500A, 8900A

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

3-MAGN-A-PAK™

TD120N16SOFHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

119A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

190A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

130°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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