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VSKLF200-12HJ

VSKLF200-12HJ

Nur als Referenz

Teilenummer VSKLF200-12HJ
PNEDA Teilenummer VSKLF200-12HJ
Beschreibung SCR DBL HISCR 1200V 200A MAGNPAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.286
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VSKLF200-12HJ Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVSKLF200-12HJ
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
VSKLF200-12HJ, VSKLF200-12HJ Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 1.313,28 KB)
PDFVSKTF200-12HK Datenblatt Cover
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VSKLF200-12HJ Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
StrukturSeries Connection - SCR/Diode
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR, 1 Diode
Spannung - Aus Zustand1.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)200A
Current - On State (It (RMS)) (max.)444A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)200mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)7600A, 8000A
Current - Hold (Ih) (Max)600mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall3-MAGN-A-PAK™

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Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

3-Phase Controller - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

6 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

27A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

59A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

520A, 560A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

54A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

85A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.4V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

80mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

740A, 800A

Current - Hold (Ih) (Max)

100mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

VS-VSKLF200-12HJP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

200A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

444A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

7600A, 8000A

Current - Hold (Ih) (Max)

600mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MAGN-A-PAK (2)

TD240N18SOFHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

240A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

275A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

145mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

5200A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

130°C (TC)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

GA080TH65

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

6.5kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

80A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

139A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-2

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