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VS-VSKV41/12

VS-VSKV41/12

Nur als Referenz

Teilenummer VS-VSKV41/12
PNEDA Teilenummer VS-VSKV41-12
Beschreibung MODULE THYRISTOR 45A ADD-A-PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.748
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-VSKV41/12 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-VSKV41/12
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
VS-VSKV41/12, VS-VSKV41/12 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 409,29 KB)
PDFVS-VSKV56/14 Datenblatt Cover
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VS-VSKV41/12 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
StrukturCommon Cathode - All SCRs
Anzahl der SCRs, Dioden2 SCRs
Spannung - Aus Zustand1.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)45A
Current - On State (It (RMS)) (max.)70A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)150mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)850A, 890A
Current - Hold (Ih) (Max)200mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallADD-A-PAK (3 + 4)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

303A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

400A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

3800A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

T4021N52TOHXPSA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

5.35kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

5460A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

6100A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

105000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

T720N12TOFXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

720A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1500A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

14500A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

T2510N06TOFVTPRXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

600V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

2510A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

4900A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

46000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

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Paket / Fall

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DT430N22KOFHPSA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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Struktur

-

Anzahl der SCRs, Dioden

-

Spannung - Aus Zustand

-

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

-

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

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