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VS-VSKV41/06

VS-VSKV41/06

Nur als Referenz

Teilenummer VS-VSKV41/06
PNEDA Teilenummer VS-VSKV41-06
Beschreibung MODULE THYRISTOR 45A ADD-A-PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.326
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VS-VSKV41/06 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-VSKV41/06
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
VS-VSKV41/06, VS-VSKV41/06 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 409,29 KB)
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VS-VSKV41/06 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
StrukturCommon Cathode - All SCRs
Anzahl der SCRs, Dioden2 SCRs
Spannung - Aus Zustand600V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)45A
Current - On State (It (RMS)) (max.)70A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)150mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)850A, 890A
Current - Hold (Ih) (Max)200mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallADD-A-PAK (3 + 4)

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Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

175A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

275A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

5400A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

400mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

VS-T90RIA120

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

90A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

141A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

120mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1780A, 1870A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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VS-VSKL136/12PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

135A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

300A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

3200A, 3360A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3 + 4)

TD280N16SOFHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

280A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

520A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

9000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

150mA

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Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

600V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

60A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

135A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1310A, 1370A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

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