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VS-VSKV250-08PBF

VS-VSKV250-08PBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-VSKV250-08PBF
PNEDA Teilenummer VS-VSKV250-08PBF
Beschreibung MODULE THYRISTOR 250A MAGN-A-PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 4.932
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VS-VSKV250-08PBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-VSKV250-08PBF
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
VS-VSKV250-08PBF, VS-VSKV250-08PBF Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 270,18 KB)
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VS-VSKV250-08PBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
StrukturCommon Anode - All SCRs
Anzahl der SCRs, Dioden2 SCRs
Spannung - Aus Zustand800V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)250A
Current - On State (It (RMS)) (max.)555A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)200mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)8500A, 8900A
Current - Hold (Ih) (Max)500mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 130°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallMAGN-A-PAK

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

45A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

100A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

850A, 890A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

T1851N60TOHXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

7000V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

1830A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

2880A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

50000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

TZ800N16KOFHPSA3

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

819A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1500A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

35000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

VS-VSKT170-04PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

400V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

170A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

377A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

5100A, 5350A

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MAGN-A-PAK

T560N14TOFXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

559A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

809A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

8000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

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