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VS-VSKT430-20PBF

VS-VSKT430-20PBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-VSKT430-20PBF
PNEDA Teilenummer VS-VSKT430-20PBF
Beschreibung MODULE THY 430A SMAGN-A-PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-VSKT430-20PBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-VSKT430-20PBF
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
VS-VSKT430-20PBF, VS-VSKT430-20PBF Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 183,73 KB)
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VS-VSKT430-20PBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
StrukturSeries Connection - All SCRs
Anzahl der SCRs, Dioden2 SCRs
Spannung - Aus Zustand2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)430A
Current - On State (It (RMS)) (max.)675A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)-
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)-
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)15700A, 16400A
Current - Hold (Ih) (Max)500mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSUPER MAGN-A-PAK

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

400V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

200A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

444A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

7600A, 8000A

Current - Hold (Ih) (Max)

600mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

3-MAGN-A-PAK™

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

2.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

104A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

180A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1700A, 1800A

Current - Hold (Ih) (Max)

150mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-240AA

VS-VSKT230-12PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

230A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

510A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

7500A, 7850A

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MAGN-A-PAK

T860N32TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

3.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

860A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

2000A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

18000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AC, K-PUK

VS-VSKN91/14

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

95A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

210A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2000A, 2094A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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