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VS-VSKD250-04PBF

VS-VSKD250-04PBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-VSKD250-04PBF
PNEDA Teilenummer VS-VSKD250-04PBF
Beschreibung DIODE GEN 400V 125A MAGNAPAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-VSKD250-04PBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-VSKD250-04PBF
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
VS-VSKD250-04PBF, VS-VSKD250-04PBF Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 282,27 KB)
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VS-VSKD250-04PBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)125A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr50mA @ 400V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall3-MAGN-A-PAK™
LieferantengerätepaketMAGN-A-PAK®

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

620mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

6mA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AB

S4KW8C-4N

Semtech

Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

8000V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

8V @ 12A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

4µA @ 8000V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

-

IDW10G120C5BFKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

17A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.65V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

DZ800S17K3HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1700V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.2V @ 800A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

780A @ 900V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

AG-62MM-2

MBR30100CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

940mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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