VS-VSKC196/16PBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | VS-VSKC196/16PBF | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | VS-VSKC196-16PBF | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE GEN 1.6KV 97.5A INTAPAK | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.195 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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VS-VSKC196/16PBF Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-VSKC196/16PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
VS-VSKC196/16PBF, VS-VSKC196/16PBF Datenblatt
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VS-VSKC196/16PBF Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Series Connection |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1600V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 97.5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 20mA @ 1600V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | INT-A-Pak |
| Lieferantengerätepaket | INT-A-PAK |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 200A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 800V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Three Tower Lieferantengerätepaket Three Tower |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 200A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3mA @ 40V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
Hersteller SMC Diode Solutions Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 150A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 910mV @ 150A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 4.5mA @ 100V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall PRM4 Lieferantengerätepaket PRM4 (Non-Isolated) |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 20V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Three Tower Lieferantengerätepaket Three Tower |
Hersteller Infineon Technologies Serie * Diodenkonfiguration - Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
