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VS-UFB80FA60

VS-UFB80FA60

Nur als Referenz

Teilenummer VS-UFB80FA60
PNEDA Teilenummer VS-UFB80FA60
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 57A SOT227
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 4.374
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-UFB80FA60 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-UFB80FA60
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
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VS-UFB80FA60 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)57A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.9V @ 60A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)34ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr50µA @ 600V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227

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Hersteller

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Serie

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

120mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 40mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SC-70

SRS20100 MNG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-244AB

Lieferantengerätepaket

TO-244AB

MBR20200CT-E1

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

MBRF200100

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-244AB

Lieferantengerätepaket

TO-244AB

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