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VS-UFB80FA40

VS-UFB80FA40

Nur als Referenz

Teilenummer VS-UFB80FA40
PNEDA Teilenummer VS-UFB80FA40
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 40A SOT227
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.064
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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VS-UFB80FA40 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-UFB80FA40
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
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VS-UFB80FA40 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)40A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.39V @ 30A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)68ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr50µA @ 400V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 80V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-244AB

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

420mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AB

U20DCT-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

HN1D04FUTE85LF

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Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

1.6ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 80V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

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SMC Diode Solutions

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

40A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

770mV @ 40A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

640µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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