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VS-ST333C08CFL1

VS-ST333C08CFL1

Nur als Referenz

Teilenummer VS-ST333C08CFL1
PNEDA Teilenummer VS-ST333C08CFL1
Beschreibung SCR 800V 1435A E-PUK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 4.770
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VS-ST333C08CFL1 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-ST333C08CFL1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs
Datenblatt
VS-ST333C08CFL1, VS-ST333C08CFL1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 281,37 KB)
PDFVS-ST333C08LFM1 Datenblatt Cover
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VS-ST333C08CFL1 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Spannung - Aus Zustand800V
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)200mA
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)1.96V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)720A
Current - On State (It (RMS)) (max.)1435A
Current - Hold (Ih) (Max)600mA
Current - Off State (Max)50mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)9250A, 9700A
SCR-TypStandard Recovery
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTO-200AB, E-PUK
LieferantengerätepaketTO-200AB (E-Puk)

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Spannung - Aus Zustand

400V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

2.3V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

475A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

750A

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Current - Off State (Max)

30mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

8000A @ 60Hz

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Spannung - Aus Zustand

600V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

800mV

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200µA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.6V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

2.5A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

4A

Current - Hold (Ih) (Max)

6mA

Current - Off State (Max)

2µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

25A, 30A

SCR-Typ

Sensitive Gate

Betriebstemperatur

-40°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

800V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

15mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.2V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

8A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

12.5A

Current - Hold (Ih) (Max)

30mA

Current - Off State (Max)

50µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

95A @ 50Hz

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

VS-16TTS12FP-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

60mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.4V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

10A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

16A

Current - Hold (Ih) (Max)

150mA

Current - Off State (Max)

10mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

170A @ 50Hz

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Spannung - Aus Zustand

400V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.8V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

370A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

690A

Current - Hold (Ih) (Max)

600mA

Current - Off State (Max)

40mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

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