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VS-ST330C08L0

VS-ST330C08L0

Nur als Referenz

Teilenummer VS-ST330C08L0
PNEDA Teilenummer VS-ST330C08L0
Beschreibung SCR PHASE CONT 800V 650A B-PUK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-ST330C08L0 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-ST330C08L0
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs
Datenblatt
VS-ST330C08L0, VS-ST330C08L0 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 205,67 KB)
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VS-ST330C08L0 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Spannung - Aus Zustand800V
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)200mA
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)1.9V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)650A
Current - On State (It (RMS)) (max.)1230A
Current - Hold (Ih) (Max)600mA
Current - Off State (Max)50mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)9000A, 9420A
SCR-TypStandard Recovery
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTO-200AB, E-PUK
LieferantengerätepaketTO-200AB (E-Puk)

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Serie

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Spannung - Aus Zustand

600V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

800mV

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200µA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.6V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

3.8A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

6A

Current - Hold (Ih) (Max)

6mA

Current - Off State (Max)

5µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

83A, 100A

SCR-Typ

Sensitive Gate

Betriebstemperatur

-40°C ~ 110°C

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

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Spannung - Aus Zustand

1kV

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

40mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.8V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

35A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

55A

Current - Hold (Ih) (Max)

60mA

Current - Off State (Max)

30µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

550A, 650A

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB-R

VS-ST330C12L1

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.96V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

720A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1420A

Current - Hold (Ih) (Max)

600mA

Current - Off State (Max)

50mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

7570A, 7920A

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200AB, E-PUK

Lieferantengerätepaket

TO-200AB (E-Puk)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

45mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.25V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

16A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

25A

Current - Hold (Ih) (Max)

150mA

Current - Off State (Max)

10mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

350A @ 50Hz

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

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Paket / Fall

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Spannung - Aus Zustand

400V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.35V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

180A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

285A

Current - Hold (Ih) (Max)

600mA

Current - Off State (Max)

30mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

3500A, 3660A

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