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VS-ST180S20P1PBF

VS-ST180S20P1PBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-ST180S20P1PBF
PNEDA Teilenummer VS-ST180S20P1PBF
Beschreibung SCR 2000V 314A TO-93
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.880
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-ST180S20P1PBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-ST180S20P1PBF
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs
Datenblatt
VS-ST180S20P1PBF, VS-ST180S20P1PBF Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 194,21 KB)
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VS-ST180S20P1PBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Spannung - Aus Zustand2kV
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)150mA
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)1.75V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)200A
Current - On State (It (RMS)) (max.)314A
Current - Hold (Ih) (Max)600mA
Current - Off State (Max)30mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)4200A, 4400A
SCR-TypStandard Recovery
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallTO-209AB, TO-93-4, Stud
LieferantengerätepaketTO-209AB (TO-93)

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Serie

-

Spannung - Aus Zustand

400V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

800mV

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200µA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.6V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

3.8A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

6A

Current - Hold (Ih) (Max)

6mA

Current - Off State (Max)

5µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

83A, 100A

SCR-Typ

Sensitive Gate

Betriebstemperatur

-40°C ~ 110°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

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Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200µA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.7V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

510mA

Current - On State (It (RMS)) (max.)

800mA

Current - Hold (Ih) (Max)

5mA

Current - Off State (Max)

1µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

16A, 20A

SCR-Typ

Sensitive Gate

Betriebstemperatur

-40°C ~ 110°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

VS-10RIA100M

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

1kV

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

60mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.75V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

25A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

10A

Current - Hold (Ih) (Max)

130mA

Current - Off State (Max)

10mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

190A, 200A

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-65°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Spannung - Aus Zustand

800V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

35mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.6V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

16A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

25A

Current - Hold (Ih) (Max)

50mA

Current - Off State (Max)

20µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

300A, 350A

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

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Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

65mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.8V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

25A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

40A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

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