Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

VS-SD600R32PC

VS-SD600R32PC

Nur als Referenz

Teilenummer VS-SD600R32PC
PNEDA Teilenummer VS-SD600R32PC
Beschreibung DIODE GEN PURP 3.2KV 600A B8
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.888
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 7 - Mai 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-SD600R32PC Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-SD600R32PC
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
VS-SD600R32PC, VS-SD600R32PC Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 190,96 KB)
PDFVS-SD600N28PC Datenblatt Cover
VS-SD600N28PC Datenblatt Seite 2 VS-SD600N28PC Datenblatt Seite 3 VS-SD600N28PC Datenblatt Seite 4 VS-SD600N28PC Datenblatt Seite 5 VS-SD600N28PC Datenblatt Seite 6 VS-SD600N28PC Datenblatt Seite 7 VS-SD600N28PC Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • VS-SD600R32PC Datasheet
  • where to find VS-SD600R32PC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division

  • Vishay Semiconductor Diodes Division VS-SD600R32PC
  • VS-SD600R32PC PDF Datasheet
  • VS-SD600R32PC Stock

  • VS-SD600R32PC Pinout
  • Datasheet VS-SD600R32PC
  • VS-SD600R32PC Supplier

  • Vishay Semiconductor Diodes Division Distributor
  • VS-SD600R32PC Price
  • VS-SD600R32PC Distributor

VS-SD600R32PC Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)3200V
Current - Average Rectified (Io)600A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.44V @ 1500A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr35mA @ 3200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallB-8
LieferantengerätepaketB-8
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

MBR16100 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SR809HB0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

90V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 90V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

ESH1B-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

B2100A-13-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

790mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

PMEG3015EV,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

72pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-666

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Kürzlich verkauft

HLMP-1503-C00A1

HLMP-1503-C00A1

Broadcom

LED 3MM GAP DIFF GRN RA HOUSING

BSS138

BSS138

MICROSS/On Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

MCP73862T-I/SL

MCP73862T-I/SL

Microchip Technology

IC LI-ION CTRLR 8.2/8.4V 16SOIC

SIS456DN-T1-GE3

SIS456DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC

MBT3904DW1T1G

MBT3904DW1T1G

ON Semiconductor

TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88

XC7Z030-1FBG676I

XC7Z030-1FBG676I

Xilinx

IC SOC CORTEX-A9 667MHZ 676FCBGA

MX25U3235FZNI-10G

MX25U3235FZNI-10G

Macronix

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON

MAX811SEUS+T

MAX811SEUS+T

Maxim Integrated

IC MPU V-MONITOR 2.93V SOT143-4

DS18S20Z+T&R

DS18S20Z+T&R

Maxim Integrated

SENSOR DIGITAL -55C-125C 8SOIC

SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

74HCT32D

74HCT32D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC