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VS-SD600R12PC

VS-SD600R12PC

Nur als Referenz

Teilenummer VS-SD600R12PC
PNEDA Teilenummer VS-SD600R12PC
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 600A B8
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 6.894
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-SD600R12PC Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-SD600R12PC
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
VS-SD600R12PC, VS-SD600R12PC Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 190,96 KB)
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VS-SD600R12PC Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)600A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.31V @ 1500A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr35mA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallB-8
LieferantengerätepaketB-8
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 180°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

90V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 90V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

D4201N18TS01VFXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2200V

Current - Average Rectified (Io)

6010A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 4000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200mA @ 2200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

Lieferantengerätepaket

BG-D12035K-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 160°C

1N4005GPE-E3/53

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

S5JB M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

AU3PG-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1.7A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

72pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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