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VS-P433

VS-P433

Nur als Referenz

Teilenummer VS-P433
PNEDA Teilenummer VS-P433
Beschreibung SCR BRIDGE 800V 40A PACE-PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.700
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VS-P433 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-P433
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
VS-P433, VS-P433 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 132,95 KB)
PDFVS-P405KW Datenblatt Cover
VS-P405KW Datenblatt Seite 2 VS-P405KW Datenblatt Seite 3 VS-P405KW Datenblatt Seite 4 VS-P405KW Datenblatt Seite 5 VS-P405KW Datenblatt Seite 6 VS-P405KW Datenblatt Seite 7 VS-P405KW Datenblatt Seite 8

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VS-P433 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
StrukturBridge, Single Phase - All SCRs
Anzahl der SCRs, Dioden4 SCRs
Spannung - Aus Zustand800V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)-
Current - On State (It (RMS)) (max.)-
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)60mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)385A, 400A
Current - Hold (Ih) (Max)130mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall8-PACE-PAK

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Hersteller

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Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

32A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

50A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

520A, 560A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-240AA

T2251N80TOHXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

3140A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

3550A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

67000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

T1851N70TS09XPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

7kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

2550A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

2880A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

50000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200AF

T580N06TOFXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

600V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

568A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

800A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.4V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

6300A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

VS-VSKL41/04

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

400V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

45A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

100A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

850A, 890A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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