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VS-MBRB1645-M3

VS-MBRB1645-M3

Nur als Referenz

Teilenummer VS-MBRB1645-M3
PNEDA Teilenummer VS-MBRB1645-M3
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.010
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-MBRB1645-M3 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-MBRB1645-M3
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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VS-MBRB1645-M3 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)45V
Current - Average Rectified (Io)16A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If630mV @ 16A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr200µA @ 35V
Kapazität @ Vr, F.1400pF @ 5V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (D2Pak)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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GeneSiC Semiconductor

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

50A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 50A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Infineon Technologies

Serie

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Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

6µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 500mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Lieferantengerätepaket

Mini MELF

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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