VS-GT75LP120N
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| Teilenummer | VS-GT75LP120N |
| PNEDA Teilenummer | VS-GT75LP120N |
| Beschreibung | IGBT 1200V 150A 543W |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.850 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-GT75LP120N Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GT75LP120N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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VS-GT75LP120N Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Leistung - max | 543W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 75A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 5.52nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | INT-A-Pak |
| Lieferantengerätepaket | INT-A-PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Inverter with Brake Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 31A Leistung - max 100W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 600µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.1nF @ 25V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E1 Lieferantengerätepaket E1 |
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Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Leistung - max 650W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 17.6nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Leistung - max 165W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.8nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
