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VS-GT140DA60U

VS-GT140DA60U

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GT140DA60U
PNEDA Teilenummer VS-GT140DA60U
Beschreibung IGBT 600V 200A 652W SOT-227
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.034
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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VS-GT140DA60U Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GT140DA60U
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-GT140DA60U, VS-GT140DA60U Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 290,97 KB)
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VS-GT140DA60U Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-TypTrench
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200A
Leistung - max652W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227

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Powerex Inc.

Serie

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IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

830W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6.5V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

32nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IFF2400P17LE4BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 65°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FP40R12KE3GBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FPF1C2P5MF07AM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

620V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

39A

Leistung - max

231W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

25µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Single Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

F1 Module

Lieferantengerätepaket

F1

IRG5U200HF12B

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

285A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

22.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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