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VS-GA100NA60UP

VS-GA100NA60UP

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GA100NA60UP
PNEDA Teilenummer VS-GA100NA60UP
Beschreibung IGBT 600V 100A 250W SOT-227
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.744
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-GA100NA60UP Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GA100NA60UP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-GA100NA60UP, VS-GA100NA60UP Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 228,91 KB)
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VS-GA100NA60UP Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Leistung - max250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce7.4nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

375A

Leistung - max

1800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM400HA-24H

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

2800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

80nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

F4200R17N3E4BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™ 3

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

18nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-ETY020P120F

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

D3

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