VS-ETH1506STRRHM3
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| Teilenummer | VS-ETH1506STRRHM3 |
| PNEDA Teilenummer | VS-ETH1506STRRHM3 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.528 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 26 - Jan 31 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-ETH1506STRRHM3 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-ETH1506STRRHM3 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
VS-ETH1506STRRHM3, VS-ETH1506STRRHM3 Datenblatt
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VS-ETH1506STRRHM3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 15A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.45V @ 15A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 15µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB (D²PAK) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 500pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 400mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 20ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.25mA @ 15V Kapazität @ Vr, F. 75pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 6-MCPH Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie FRED Pt® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.07V @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 210ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 15µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220-2 Full Pack Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie TrenchSBR Diodentyp Super Barrier Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 350pF @ 50V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 3A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 30pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
