VS-ETF150Y65U
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| Teilenummer | VS-ETF150Y65U |
| PNEDA Teilenummer | VS-ETF150Y65U |
| Beschreibung | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.130 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
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VS-ETF150Y65U Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-ETF150Y65U |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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VS-ETF150Y65U Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Konfiguration | Three Level Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 142A |
| Leistung - max | 417W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.06V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 6.6nF @ 30V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | EMIPAK-2B |
| Lieferantengerätepaket | EMIPAK-2B |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.45nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
