VS-8EWF02STRR-M3
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| Teilenummer | VS-8EWF02STRR-M3 |
| PNEDA Teilenummer | VS-8EWF02STRR-M3 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.078 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-8EWF02STRR-M3 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-8EWF02STRR-M3 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
VS-8EWF02STRR-M3, VS-8EWF02STRR-M3 Datenblatt
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VS-8EWF02STRR-M3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-PAK (TO-252AA) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Current - Average Rectified (Io) 700mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 700mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 100ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 90V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214BA Lieferantengerätepaket NMiniP2-J1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 4A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 4A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 80pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 800A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.65V @ 1500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AB, B-PUK Lieferantengerätepaket DO-200AB, B-PUK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1300V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 400ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1300V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
