VS-8ETL06-1PBF
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Teilenummer | VS-8ETL06-1PBF |
PNEDA Teilenummer | VS-8ETL06-1PBF |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 8A TO262 |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.470 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-8ETL06-1PBF Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | VS-8ETL06-1PBF |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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VS-8ETL06-1PBF Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | FRED Pt® |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 250ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Lieferantengerätepaket | TO-262 |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 700mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.08V @ 700mA Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 780ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 5pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AD Lieferantengerätepaket MicroSMP (DO-219AD) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Comchip Technology Hersteller Comchip Technology Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 45V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AA, DO-27, Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 125°C |
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 40pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AC, DO-15, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AC (DO-15) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |